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1. MOS管描述
MOS管還稱之為場效應管，在集成電路中絕緣性場效應管。在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和
金屬，形成柵極。MOS管的source和drain都是在P型backgate中形成的N型區(qū)，他們是可以對調的
2. MOS管結構特點
單極型晶體管導通時只有一種極性的載流子參與導電，導電機理與小功率MOS管相同，結構上有所區(qū)別，
小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET通常采用垂直導電結構，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電
流能力。
主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，所以具有很高的輸入電阻，導通時在兩個高
濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于
閾值電壓時才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
3.1MOS管的輸入&輸出特性
共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。
3.2MOS管的導通特性
MOS管為開關元件，工作在截止或導通兩種狀態(tài)。MOS管是電壓控制元件，主要由柵源電壓uGS決定它的工
作狀態(tài)
PMOS的特性：Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況。但由于導通電阻大，價格較高等
原因，在高端驅動中，一般會用NMOS。
NMOS的特性：Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，柵極電壓達到4V或10V就可以
4. MOS管工作原理
(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成
的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，所以漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
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